RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
59
Por volta de -146% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2508
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link