RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
59
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2994
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link