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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
59
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3416
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2606U1S 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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