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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
59
Por volta de -211% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
19
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3801
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-19200C10-8GBZHD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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