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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
59
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3551
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
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Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
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