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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
59
Por volta de -136% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2910
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
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