RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
59
Por volta de -136% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2910
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMY16GX3M2A1866C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link