RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
59
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
16.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3779
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link