RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
59
Por volta de -127% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
15.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3515
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link