RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HX421C14FB/4 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
59
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2730
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link