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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
59
Por volta de -64% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2736
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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