RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
59
Por volta de -69% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2926
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link