RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
59
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3040
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link