Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 15.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.9
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 59
    Por volta de -84% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    23400 left arrow 6400
    Por volta de 3.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    59 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,833.8 left arrow 15.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    731 left arrow 3368
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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