RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
59
Por volta de -111% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
16.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3927
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link