RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
59
Por volta de -84% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3164
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link