RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
59
Por volta de -168% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3110
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link