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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
59
Por volta de -90% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
17.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3935
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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