RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
59
Por volta de -90% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2892
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link