RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
59
Por volta de -146% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2370
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link