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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
69
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
14.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2938
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
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