RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
69
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2938
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965413-028.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link