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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 16.7
    Valor médio nos testes
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Razões a considerar
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    66 left arrow 69
    Por volta de -5% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.5 left arrow 1,857.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 66
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,217.2 left arrow 16.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,857.7 left arrow 8.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    668 left arrow 1912

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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