RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против AMD R744G2400U1S-UO 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
69
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
66
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1912
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link