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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
69
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3299
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
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