Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Relatar um erro

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 17.3

Valor médio nos testes

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

Razões a considerar
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

Relatar um erro

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

23 69

Por volta de -200% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.8 1,857.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 6400

Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

Características principais

Tipo de memória

DDR2 DDR4
Latência em PassMark, ns

69 23
Velocidade de leitura, GB/s

4,217.2 17.3
Velocidade de escrita, GB/s

1,857.7 12.8
Largura de banda de memória, mbps

6400 17000

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

668 2942

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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