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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
4,217.2
17.3
写入速度,GB/s
1,857.7
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2942
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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