RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
69
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
13.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3241
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link