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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
69
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
45
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
14.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
3102
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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