RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
69
Por volta de -130% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2629
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link