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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
69
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
8.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2246
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
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