Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 16.7
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    33 left arrow 69
    Por volta de -109% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.9 left arrow 1,857.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 6400
    Por volta de 4 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 33
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,217.2 left arrow 16.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,857.7 left arrow 10.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    668 left arrow 2876
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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