RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
69
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
11.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2417
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link