RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
69
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
54
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2938
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link