RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
69
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
54
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2938
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link