RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
69
Por volta de -229% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
7.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2337
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link