RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
69
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2337
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link