RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2479
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link