RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
71
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
24
读取速度,GB/s
2,831.6
15.5
写入速度,GB/s
1,322.6
9.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2479
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link