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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
49
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
47
读取速度,GB/s
4,577.1
11.6
写入速度,GB/s
2,066.5
8.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2537
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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