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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.0
18.0
写入速度,GB/s
7.8
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3711
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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