Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 11.6

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 49

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.4 2,066.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 47
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 11.6
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 2537

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

AMD R9S48G3206U2S 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

Kingston 9905744-023.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

модули RAM