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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

总分
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Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

总分
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Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston HX318C10FK/4 4GB 需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    52 left arrow 69
    左右 -33% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 4.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 14900
    左右 1.43 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    69 left arrow 52
  • 读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 10.0
  • 写入速度，GB/s
    4.1 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1116 left arrow 2306

Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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内存RAM
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
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内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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