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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
12.8
17.8
写入速度,GB/s
6.7
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3597
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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