RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
69
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
52
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
2306
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link