RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link