RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2633
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link