RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
68
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
68
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2007
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link