RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
68
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
68
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2007
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link