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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
69
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2558
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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