Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 17.6
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 58
    Por volta de -93% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.9 left arrow 1,950.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    58 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,241.0 left arrow 17.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,950.7 left arrow 13.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    651 left arrow 3473
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações