RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,241.0
17.6
写入速度,GB/s
1,950.7
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3473
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB RAM的比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link